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太陽能電池測試系統(tǒng)
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多入射角激光橢偏儀

多入射角激光橢偏儀


高端研發(fā)領(lǐng)域?qū)S玫亩嗳肷浣羌す鈾E偏儀,采用多項(xiàng)專利技術(shù),儀器硬件和軟件具有多項(xiàng)定制功能設(shè)計(jì),適用于光面或絨面納米薄膜測量、塊狀固體參數(shù)測量、快速變化的納米薄膜實(shí)時(shí)測量等不同的應(yīng)用場合。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1.高精度、高穩(wěn)定性 2.一體化集成設(shè)計(jì) 3.測量簡單 4.快速、高精度樣品方位對準(zhǔn) 5.多角度測量 6.實(shí)時(shí)測量 7.豐富的材料庫及物理模型 8.強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析和管理功能 應(yīng)用領(lǐng)域: 可應(yīng)用于納米薄膜的幾乎所有領(lǐng)域,如微電子、半導(dǎo)體、生命科學(xué)、電化學(xué)、顯示技術(shù)、磁介質(zhì)及金屬處理等?蓪{米層構(gòu)樣品的薄膜厚度和折射率n及消光系數(shù)k進(jìn)行快速、高精度、高準(zhǔn)確度的測量,尤其適用于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)及質(zhì)量監(jiān)控,可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)模系,以及塊狀材料(基底)。

技術(shù)指標(biāo):

 

激光波長

632.8nm(He-Ne laser)

膜層厚度精度

0.01nm(對于Si 基底上110nm SiO2 膜層

折射率精度

1x10-4 (對于Si 基底上110nm SiO2 膜層

光學(xué)結(jié)構(gòu)

PSCA

激光光束直徑

<1mm

入射角度

40°-90°可選,步進(jìn)5°

樣品方位調(diào)整

三維平移調(diào)節(jié);±6.5mmX-Y-Z三軸)

二維俯仰調(diào)節(jié):±4°

光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對準(zhǔn)

樣品臺尺寸

Φ 170mm

單次測量時(shí)間

0.2s

推薦測量范圍

0-6000nm

大外形尺寸(長xx高)

887x332x552mm(入射角為90°時(shí)

儀器重量(凈重)

25kg


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